[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有对准标记区的半导体衬底，在其中形成有环绕包围所述对准标记区的浅沟槽隔离结构，在浅沟槽隔离结构的顶部与半导体衬底的上表面之间形成有凹坑；形成作为对准标记的伪栅极结构；依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，覆盖伪栅极结构并完全填充所述凹坑，所述层间介电层包括自下而上层叠的第一层间介电层和第二层间介电层，后续实施化学机械研磨时，研磨液对第二层间介电层的研磨速率低于对第一层间介电层的研磨速率；执行所述研磨，直至露出伪栅极结构的顶部。根据本发明，可以提升所述研磨结束后的层间介电层的厚度，确保所需形成的接触孔的特征尺寸以及对准精度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有对准标记区的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有环绕包围所述对准标记区的浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构的顶部与所述半导体衬底的上表面之间形成有凹坑；在所述半导体衬底上形成作为对准标记的伪栅极结构；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，覆盖所述伪栅极结构并完全填充所述凹坑，所述层间介电层包括自下而上层叠的第一层间介电层和第二层间介电层，后续实施化学机械研磨时，研磨液对所述第二层间介电层的研磨速率低于对所述第一层间介电层的研磨速率，其中，所述第一层间介电层位于所述凹坑上方部分的表面低于位于所述伪栅极结构上方部分的上表面；执行所述化学机械研磨，直至露出所述伪栅极结构的顶部。