[发明专利]铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备有效
| 申请号： | 201410372811.4 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104241345A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王灿;刘芳;刘英伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汪扬 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明设计一种铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备。根据本发明一个方面的铝电极，包括：由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于底层和顶层之间的铝层，其中底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。根据本发明一个实施例的铝电极，可以消除鼠啮现象。根据本发明另一方面的铝电极，包括：由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和位于底层和顶层之间的铝层，其中底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。根据本发明另一实施例的铝电极，既消除鼠啮现象，还消除侧蚀现象，并且通过控制氮含量还能进一步得到理想的成型角度。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 及其 电子设备 | ||
【主权项】：
一种铝电极，包括：由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410372811.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大型地面光伏电站清洁装置
- 下一篇：太阳能电池除尘设备
- 同类专利
- 专利分类
