[发明专利]氧化铟锡低温沉积方法及系统在审
| 申请号： | 201410374901.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104120397A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 许生;王学雷;许朝阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市豪威薄膜技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44320 | 代理人： | 彭年才 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铟锡低温沉积方法和系统，该方法包括以下步骤：将基材置于真空镀膜室内，镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行镀膜，在基材上形成氧化铟锡膜。该系统包括真空镀膜室、氧化铟锡靶材、基材支撑装置、冷却脱汽装置以及磁场装置。该方法和系统在低温下进行，通过冷却脱汽装置致冷，捕捉水汽和杂质气体，净化沉积氛围，提高镀膜质量，通过提高磁场强度，得到质量高，电阻率低的氧化铟锡晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 低温 沉积 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：将基材置于真空镀膜室内，所述真空镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在所述氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600‑900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行真空镀膜，在基材上形成氧化铟锡镀膜。
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