[发明专利]感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置在审
申请号: | 201410376517.0 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104375381A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 吴明儒;施俊安 | 申请(专利权)人: | 奇美实业股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075;G03F7/004 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姚亮 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明有关一种感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置。该感光性聚硅氧烷组合物包含:聚硅氧烷聚合物(A)、邻萘醌二迭氮化合物(B)、热碱产生剂(C)以及溶剂(D)。本发明亦提供一种于一基板上形成薄膜的方法、一种基板上的薄膜以及一种包含该薄膜的装置。该薄膜用于形成TFT基板用平坦化膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材的保护膜,该薄膜具有耐化性佳的特性。 | ||
搜索关键词: | 感光性 聚硅氧烷 组合 及其 形成 薄膜 包含 装置 | ||
【主权项】:
一种感光性聚硅氧烷组合物,包含:聚硅氧烷聚合物A;邻萘醌二迭氮磺酸酯B;热碱产生剂C;以及溶剂D;其中,所述热碱产生剂C包含下列结构式1所示的化合物或其盐类衍生物及/或下列结构式2所示的化合物及/或下列结构式3所示的化合物:结构式1其中:m表示2至6的整数;R1、R2各自独立表示氢原子、碳数1至8的烷基、碳数1至6的具有或不具有取代基的羟烷基、或碳数2至12的二烷基胺基;结构式2其中:R3、R4、R5及R6各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基;R7及R8各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基、或彼此结合形成具有或不具有取代基的单环;或彼此结合形成具有或不具有取代基的多环;R9表示碳数1至12的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基,但R9的碳原子总数为12以下;结构式3其中:R3、R4、R5及、R6、R7及R8的定义如结构式2中的相应定义所述;R10表示碳数1至12的具有或不具有取代基的亚烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的亚环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基,但R10的碳原子总数为12以下。
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