[发明专利]一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201410376679.4 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104152983A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 夏士兴;张月娟;李兴旺;王永国;莫小刚 | 申请（专利权）人： | 北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 刘映东 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法。该坩埚包括内层坩埚、套装在所述内层坩埚外部的外层坩埚和用于封堵所述外层坩埚的坩埚盖，所述外层坩埚和所述内层坩埚之间设有间隙；所述内层坩埚包括锥形尖端部分和用于硒化镉晶体生长的第一柱体部分，所述第一柱体部分设置在所述锥形尖端部分之上；所述外层坩埚的内部轮廓与所述内层坩埚的外部轮廓相匹配，所述外层坩埚的外部轮廓呈柱形；所述内层坩埚的材质选自石墨或热解氮化硼，所述外层坩埚的材质选自钼、钨、铱、铂及它们的合金中的至少一种。本发明的坩埚能够缓冲内层坩埚所受的压力，避免内层坩埚发生开裂及熔体泄漏现象；能够保证内、外层坩埚不会因热膨胀而开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 硒化镉 晶体 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长硒化镉晶体的坩埚，包括：内层坩埚、套装在所述内层坩埚外部的外层坩埚和用于封堵所述外层坩埚的坩埚盖，所述外层坩埚和所述内层坩埚之间设有间隙；所述内层坩埚包括锥形尖端部分和用于硒化镉晶体生长的第一柱体部分，所述第一柱体部分设置在所述锥形尖端部分之上；所述外层坩埚的内部轮廓与所述内层坩埚的外部轮廓相匹配，所述外层坩埚的外部轮廓呈柱形；所述内层坩埚的材质选自石墨或热解氮化硼，所述外层坩埚的材质选自钼、钨、铱、铂及它们的合金中的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所，未经北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410376679.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于定向生长蓝宝石单晶的可重复使用坩埚
- 下一篇：镀膜制造方法
