[发明专利]一种对缺陷进行选择性检测的方法有效
| 申请号： | 201410377341.0 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104103541B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种对缺陷进行选择性检测的方法，包括：通过缺陷检测设备检测晶圆中的每个芯片；对检测到的芯片上的缺陷的位置数据进行记录；将缺陷的位置数据选择性地设置于缺陷检测设备中；缺陷检测设备根据位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测。从而能够实现对缺陷的定位，提高缺陷检测的效率和精度、以及降低缺陷分析的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 进行 选择性 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对缺陷进行选择性检测的方法，其特征在于，包括：通过缺陷检测设备检测晶圆中的每个芯片；对检测到的芯片上的缺陷的位置数据进行记录；将不要被再次检测到的缺陷所对应的位置数据设置于所述缺陷检测设备中，缺陷检测设备根据所述位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测：首先，所述缺陷检测设备对后续检测的芯片的缺陷数据图形与所述位置数据进行对比，将与所述位置数据中的坐标相近的区域的缺陷过滤掉；或者所述缺陷检测设备将所述不要被再次检测到的缺陷根据其位置数据进行分类，将后续具有相同类型的缺陷过滤掉；然后，所述缺陷检测设备对未过滤掉的缺陷进行检测；或者将所述缺陷的位置数据选择性地设置于所述缺陷检测设备中；缺陷检测设备根据所述位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测：所述缺陷检测设备根据所述位置数据对芯片进行扫描，在扫描到与需要进行灵敏度提升的缺陷的位置数据中的坐标相近的区域时，自动提升检测的灵敏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410377341.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种超级结器件制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
