[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种导通损失较少、元件特性不易劣化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在第1电极与第2电极之间；第1导电型的第2半导体区域，设在第1半导体区域与第1电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第2导电型的第3半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第2导电型的第5半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第1导电型的第4半导体区域，设在第3半导体区域与第2电极之间、以及第5半导体区域与第2电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第3电极，经由第1绝缘膜接触在第1半导体区域、第3半导体区域及第4半导体区域上；第2绝缘膜，接触在第1半导体区域、第5半导体区域及第4半导体区域上。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间；第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第1电极之间，杂质浓度比上述第1半导体区域高；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第2导电型的第5半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第1导电型的第4半导体区域，设在上述第3半导体区域与上述第2电极之间、以及上述第5半导体区域与上述第2电极之间，杂质浓度比上述第1半导体区域高；第3电极，经由第1绝缘膜而与上述第1半导体区域、上述第3半导体区域及上述第4半导体区域相接；第2绝缘膜，与上述第1半导体区域、上述第5半导体区域及上述第4半导体区域相接；第3绝缘膜，设置在上述第3电极与上述第2电极之间；以及第4绝缘膜，设置在上述第2绝缘膜与上述第2电极之间，上述第3电极存在于上述第1绝缘膜与上述第3绝缘膜之间，上述第2绝缘膜和上述第4绝缘膜之间不存在电极，上述第2绝缘膜和上述第4绝缘膜直接相接，上述第2电极与上述第3绝缘膜及上述第4绝缘膜直接相接，上述第3半导体区域及上述第5半导体区域与上述第2电极电连接。