[发明专利]包括衬底的多芯片器件在审
| 申请号： | 201410380144.4 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104392985A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | K·霍塞尼;J·马勒;I·尼基廷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括衬底的多芯片器件，该器件包括包括电绝缘芯的衬底、布置在衬底的第一主表面上的第一导电材料，以及布置在衬底的与第一主表面相对的第二主表面上的第二导电材料。该器件进一步包括从第一主表面延伸至第二主表面并且电耦合第一导电材料与第二导电材料的导电连接、布置在第一主表面上并且电耦合至第一导电材料的第一半导体芯片，以及布置在第二主表面上并且电耦合至第二导电材料的第二半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 衬底 芯片 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：包括电绝缘芯的衬底；布置在所述衬底的第一主表面上的第一导电材料；布置在所述衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二导电材料；电耦合所述第一导电材料与所述第二导电材料的导电连接；布置在所述第一主表面上并且电耦合至所述第一导电材料的第一半导体芯片；以及布置在所述第二主表面上并且电耦合至所述第二导电材料的第二半导体芯片。
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