[发明专利]ITO导电玻璃及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410386184.X 申请日: 2014-08-07
公开(公告)号: CN104166490A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 刘玉华;方凤军;陈立;谭伟;杜晓峰 申请(专利权)人: 宜昌南玻显示器件有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启
地址: 443000*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种中大尺寸电容式触摸屏用无色低阻消影ITO导电玻璃,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层;第一高折射率层和第二高折射率层的材料均为TiO2、ZrO2或Si3N4;第一低折射率层和第二低折射率层的材料均为SiO2或MgF2。通过以折射率高低结合的膜层结构替代传统的消影层,这种ITO导电玻璃在面电阻较低时(10~30欧姆)实现消影;此ITO导电玻璃还解决了传统消影玻璃采用Nb2O5作为高折射率材料时在后续加工工序中Nb2O5同碱液反应的问题;同时此结构消影玻璃的ITO颜色非常浅,消影效果好,能够满足大尺寸的电容式触摸屏的应用需求。本发明还公开了上述ITO导电玻璃的制备方法。
搜索关键词: ito 导电 玻璃 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于中大尺寸电容式触摸屏的无色低阻消影的ITO导电玻璃,其特征在于,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层;所述第一高折射率层的材料为TiO2、ZrO2或Si3N4;所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2;所述第二高折射率层的材料为TiO2、ZrO2或Si3N4;所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2;所述第一高折射率层的厚度为所述第一低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜昌南玻显示器件有限公司,未经宜昌南玻显示器件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410386184.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top