[发明专利]源漏结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410387740.5 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105336781A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王成诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李志刚;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种源漏结构及其制造方法。其中，该源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，漏极区还包括：漏极-衬底结，设置在轻掺杂超浅结和衬底的靠近轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，漏极-衬底结中的杂质离子与轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子。通过本申请，形成了漏极-衬底结，使得轻掺杂超浅结的陡峭侧面结构变得平缓，将漏极-衬底结的最大电场降到最低，减少了靠近沟道的离子运动，从而有效减少带间隧道效应激发热电子效应，进而达到了抑制漏极干扰的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种源漏结构，所述源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，所述漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，其特征在于，所述漏极区还包括：漏极‑衬底结，设置在所述轻掺杂超浅结和所述衬底的靠近所述轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，所述漏极‑衬底结中的杂质离子与所述轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子。
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