[发明专利]一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时在所述栅极氧化层上形成氧化硅层。根据本发明的方法，可有效去除硬掩膜表面上的自然氧化层，同时采用磷酸旧酸进行氮氧化硅硬掩膜层的去除的同时，在栅极两侧的栅极氧化层上又形成了氧化硅层，使栅极氧化层厚度未发生改变，有利于控制离子注入的深度，进而提高了器件的良率和电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时利用所述磷酸旧液中含有的硅氧键在露出的所述栅极氧化层上形成氧化硅层。