[发明专利]一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法。该基板包括：有多孔氧化铝介质的铝合金基板；位于铝合金基板第一表面的第一布线层；埋置于铝合金基板中的第二布线层；位于铝合金基板第二表面的第三布线层；以及贯穿铝合金基板第一表面及第二表面的铝全通柱和/或未贯穿铝合基板的铝半通柱。该基板制造方法包括以下步骤：对铝合金基板进行预处理、第一步光刻涂胶；第一步光刻；致密型阳极氧化、第一次去胶；第二步光刻涂胶、第二步光刻；穿透型阳极氧化、第二次去胶。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的基板及其制作方法，制作流程简洁，基板热导率高，热膨胀系数可调，提高了三维封装的可靠性。

主权项

1.一种基于铝阳极氧化技术的基板，其特征在于，包括：铝合金基板，其含有多孔氧化铝介质，所述铝合金基板具有两相对的第一表面及第二表面；第一层布线，位于所述铝合金基板的第一表面上；第二层布线，埋置于所述铝合金基板中；第三层布线，位于所述铝合金基板的第二表面上；以及铝全通柱和铝半通柱，其中所述铝全通柱贯穿所述铝合金基板的第一表面及第二表面，所述铝半通柱未贯穿所述铝合金基板；对第一步光刻涂胶后的所述铝合金基板进行第一步光刻，形成第二层布线的初步掩膜图形；对第一步光刻后的铝合金基板进行致密型阳极氧化，形成致密型氧化层，再进行第一次去胶，形成第二层布线的图形掩膜；对第一次去胶后的铝合金基板进行第二步光刻涂胶，并进行第二步光刻，形成第一层布线、第三层布线及铝全通柱和铝半通柱的图形掩膜；对第二步光刻后的铝合金基板进行穿透型阳极氧化，形成多孔型氧化铝介质，再进行第二次去胶，完成基板的制造；其中，所述第一层布线、第三层布线、铝全通柱的图形掩膜通过第二步光刻工艺制得，第二层布线的图形掩膜通过第一步光刻工艺和致密型阳极氧化制得，所述铝半通柱的图形掩膜通过第一步光刻工艺、致密型阳极氧化和第二步光刻工艺制得，所述第一层布线、第三层布线的图形掩膜是第二步光刻所涂的光刻胶，所述第二层布线的图形掩膜材料是致密型氧化铝层；所述铝全通柱的图形掩膜位于所述铝合金基板的金属铝上，是第二步光刻所涂的光刻胶；所述铝半通柱的图形掩膜在所述铝合金基板的第一表面上，是第二步光刻所涂的光刻胶或致密型氧化铝层，在所述铝合金基板的第二表面上是致密型氧化铝层或第二步光刻所涂的光刻胶，并且第二步光刻所涂的胶位于致密型氧化铝层上。