[发明专利]测试键结构与测试键群组有效
| 申请号： | 201410394926.3 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336731B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王建国;侯俊良;廖文荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种测试键结构与测试键群组，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 键群组 | ||
【主权项】：
1.一种测试键结构，包含有：多个晶体管，设置在晶圆的切割道内，且排列成2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列，且所述晶体管分别包含栅极、源极、漏极与基体，其中所述晶体管的所述源极全部彼此电性连接；以及源极连接垫，其设置在该切割道内，其中设置在该二直行其中一行的所述晶体管还定义为多个第一晶体管，设置在该二直行另外一行的所述晶体管更定义为多个第二晶体管，所述第一晶体管的各该源极与该源极连接垫的距离与所述第二晶体管的各该源极与该源极连接垫的距离相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410394926.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED垂直封装结构
- 下一篇：一种引线孔、其制作方法、晶体管及CMOS晶体管
