[发明专利]等离子切割方法及等离子切割装置

摘要

一种等离子切割方法，包括在含有第1气体的等离子体的气体环境中使膜堆积到切割区域及在焊盘开口部露出的金属电极上的堆积处理、和在含有第2气体的等离子体的气体环境中对下部电极赋予第1偏压电力而将由堆积处理堆积的膜蚀刻的蚀刻处理。在蚀刻处理中，如果检测到切割区域的基板的伴随着蚀刻的发光，则使第1偏压电力下降到第2偏压电力，将基板蚀刻。

主权项

一种等离子切割方法，对包括基板、分离形成在上述基板上的多个半导体层、设在各个上述半导体层上的金属电极、和钝化膜的晶片上的上述多个半导体层之间的切割区域的上述基板进行等离子蚀刻，上述钝化膜将上述半导体层覆盖，并具有使上述金属电极的一部分露出的焊盘开口部，其特征在于，包括如下处理：在含有第1气体的等离子体的气体环境中，使膜堆积到上述切割区域及在上述焊盘开口部露出的上述金属电极上的堆积处理；和在含有第2气体的等离子体的气体环境中，对支承上述晶片的下部电极赋予第1偏压电力而将上述膜蚀刻的蚀刻处理，在上述蚀刻处理中，当检测到上述切割区域的上述基板的伴随着蚀刻的发光时，使上述第1偏压电力下降到第2偏压电力，将上述基板蚀刻。