[发明专利]一种沟道刻蚀工艺的监测方法在审
| 申请号： | 201410409503.4 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105448758A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;王桂磊;陈韬;崔虎山;卢一泓;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;胡湘根 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟道刻蚀工艺的监测方法，包括：提供去除鳍形成开口后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供衬底，在衬底上形成鳍及鳍之间的介质材料；去除鳍，以形成开口；获得去除鳍后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对源漏外延制程的有效监测，以便有效控制后续外延形成替代沟道的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 刻蚀 工艺 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道刻蚀工艺的监测方法，其特征在于，包括：提供去除鳍形成开口后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供衬底，在衬底上形成鳍及鳍之间的介质材料；去除鳍，以形成开口；获得去除鳍后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
