[发明专利]半导体结构的双重图案工艺方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的双重图案工艺方法。首先，依序沉积一第一层、一第二层、以及一第三层。接着在第三层上形成一光刻胶层，并将所述光刻胶层图形化成一图形化第一光刻胶，再将一氧化层沉积于其上。所述氧化层会被刻蚀成用来构成一第一图案的间隙壁，所述第一图案之后则用来刻蚀所述第三层。之后以同样步骤在所述第三层上形成一第二交错图案，其与所述第一图案以同样方式形成。最后以两图案对所述第一层与所述第二层进行选择性刻蚀。

主权项

一种半导体结构的双重图案工艺方法，其特征在于，包括：由下而上在一基底上依序沉积一第一层、一第二层、以及一第三层，其中所述第二层与所述第三层具有不同的刻蚀速率；在所述第三层上沉积一第一光刻胶层；将所述第一光刻胶层图形化成一图形化第一光刻胶；沉积一第一氧化层；将所沉积的所述第一氧化层刻蚀成位于所述图形化第一光刻胶两侧的第一间隙壁；将所述图形化第一光刻胶完全移除，得到由所述第一间隙壁所构成的第一掩膜图案；以所述第一掩膜图案作为刻蚀掩膜对所述第三层进行刻蚀工艺，形成一图形化第三层，其中所述第二层作为刻蚀停止层；在所述图形化第三层上沉积一第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层图形化成一图形化第二光刻胶，其中所述图形化第二光刻胶与所述图形化第一光刻胶交错；沉积一第二氧化层；将所沉积的所述第二氧化层刻蚀成位于所述图形化第二光刻胶两侧的第二间隙壁；将所述图形化第二光刻胶完全移除，得到由所述第二间隙壁所构成的第二掩膜图案；以所述第二掩膜图案以及所述图形化第三层作为刻蚀掩膜对所述第二层以及所述第一层进行刻蚀工艺，因而在所述第二层与所述第一层中形成一接触洞图案；以及在所述第二层与所述第一层中形成所述接触洞图案后，移除剩余的所述第二间隙壁以及所述图形化第三层，以获得具有所述接触洞图案的一接触印刷掩膜。