[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，其在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏。半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在元件区域的第1半导体区域的上表面，内径是0.5μm～20μm；第2导电型的第3半导体区域，其围着元件区域而配置在外周区域的第1半导体区域的上表面；以及第1电极，其与第2半导体区域和第3半导体区域的上表面接触地配置在第1半导体区域上，与第2半导体区域形成肖特基结。

主权项

1.一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在所述元件区域的周围的外周区域，所述半导体装置的特征在于，具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在所述元件区域和所述外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在所述元件区域的所述第1半导体区域的上表面，所述第2半导体区域的内径是0.5μm～20μm；第2导电型的第3半导体区域，其围着所述元件区域而配置在所述外周区域的所述第1半导体区域的上表面；以及第1电极，其与所述第2半导体区域和所述第3半导体区域的上表面接触地配置在所述第1半导体区域上，与所述第2半导体区域形成肖特基结，设所述第2半导体区域的内径为r、所述第2半导体区域的厚度为X，所述第2半导体区域的相互间隔R满足下式的关系：{(r/2+0.8×X)/(R/2)}2＜0.5。