[发明专利]掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构有效
| 申请号： | 201410421343.5 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN104330954A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吴海东;金泰逵;马群;白娟娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构，其中掩膜版包括交替排列的遮挡区和开口区，开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍，相邻两个开口区之间的遮挡区的宽度为一个亚像素宽度的四倍。在掩膜版厚度相同的情况下，本发明中的掩膜版上遮挡区和开口区的宽度能够制作的更窄，即亚像素的宽度能够制作的更精细，从而提高了OLED显示器件的画面细腻程度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 掩膜版组 像素 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种掩膜版，包括：交替排列的遮挡区和开口区，其特征在于，所述开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍，相邻两个所述开口区之间的遮挡区的宽度为所述一个亚像素宽度的四倍。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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