[发明专利]MCSP功率半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 201410421700.8 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105374773A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 牛志强;鲁军;哈姆扎·耶尔马兹;高洪涛 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明主要涉及功率半导体器件领域，尤其涉及在实现芯片级封装方式前提下，提出了一种MCSP封装形式的功率半导体器件及相应的制备方法。在晶圆背面设置一个导电粘合层；层压一个金属箔层至晶圆背面并利用所述导电粘合层进行压合黏接；粘贴一个复合胶带至所述金属箔层上；切割相邻芯片之间的叠层，所述叠层包括塑封层、晶圆、导电粘合层、金属箔层和复合胶带。 | ||
| 搜索关键词： | mcsp 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备功率半导体器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供正面带有一塑封层的晶圆；在晶圆背面或者一金属箔层的一面设置一导电粘合层；层压所述金属箔层至晶圆背面并利用所述导电粘合层进行压合黏接；粘贴一复合胶带至所述金属箔层上；切割相邻芯片之间的叠层，所述叠层包括塑封层、晶圆、导电粘合层、金属箔层和复合胶带，形成多颗独立的功率半导体器件。
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