[发明专利]芯片、芯片装置以及用于制造芯片的方法在审
| 申请号： | 201410423082.0 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN104425491A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | G·霍尔韦格;T·亨德尔;G·霍弗;W·帕赫勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/13;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 在不同实施例中提供一种芯片(10)。该芯片具有载体(12)、在所述载体(12)上方构成的集成电路(14)以及蓄能元件(16)。所述蓄能元件具有第一电极(28)和第二电极(30)并且用于给集成电路(14)供以电能。载体(12)、集成电路(14)以及蓄能元件(16)一体地构成并且第一电极(28)由载体(12)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
芯片(10)，包括：·载体(12)；·在所述载体(12)上方构成的集成电路(14)；以及·蓄能元件(16)，所述蓄能元件具有第一电极(28)和第二电极(30)，用于给所述集成电路(14)供以电能，其中一体地构成所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16)，并且其中所述第一电极(28)由所述载体(12)形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
