[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件在审
申请号: | 201410425941.X | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104425483A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | T·费舍尔;C·阿伦斯;D·佐杰卡;A·施门 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例,一种用于制造半导体器件的方法可以包括:提供半导体工件,该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域,其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺,并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层,其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供半导体工件,所述半导体工件包括在所述半导体工件的第一侧的器件区域,其中所述半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺;在所述半导体工件的与所述半导体工件的所述第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层,其中所述至少一个传导层增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的