[发明专利]排气设备和具有排气设备的衬底处理设备有效
申请号: | 201410427830.2 | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN104425317B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 沈亨基;金锺明;白种化;金炳秀 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 衬底处理设备以及用于衬底处理设备中的排气设备。所述衬底处理设备包含排气装置,将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部;以及激光产生单元,将激光束辐射到设置在衬底支撑件上的所述衬底上,其中所述排气装置侧壁包含排气端口,所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处,且以单个或多个设置到所述侧壁。可容易地排出在处理的执行过程中产生的所述副产物。且,所述设备可防止副产物污染所述设备,且最终提高在完成所述处理之后所制造的产品的质量。此外,因为所述腔室的真空是不必要的,所以衬底处理设备可减少现有技术中由于真空状态中所消耗的处理而引起的氮气的量。 | ||
搜索关键词: | 排气 设备 具有 衬底 处理 | ||
【主权项】:
一种衬底处理设备,其特征在于包括:腔室,形成处理衬底的内部空间;排气装置,将在所述衬底的处理过程中产生的副产物排出到所述腔室的外部,其中排气装置侧壁包含排气端口,所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处,且以单个或多个设置到所述侧壁;衬底支撑件,在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底;激光产生单元,将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上;注射器,所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向所述腔室的侧壁方向注射气体的注射喷嘴;以及吸入器,设置到所述衬底支撑件的两侧的下部以用于吸入保持在所述腔室的底部的副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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