[发明专利]n沟道SONOS器件及其编译方法有效
| 申请号： | 201410428695.3 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104241396B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n沟道SONOS器件，包括：p型半导体衬底，其包括n型掺杂的源区和漏区，以及位于源漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于p型半导体衬底上n型掺杂的源漏区之间的栅极结构，该栅极结构依次包括遂穿氧化层、氮化硅层、阻挡氧化层和多晶硅栅极。当n沟道SONOS器件编译时，通过在多晶硅栅极上施加正的栅极电压、在源区施加0V的源极电压、在漏区施加大于源极电压的漏极电压以及在衬底上施加正的衬底电压，在栅极电压和源极电压的电压差作用下使得晕圈注入区靠近源区和遂穿氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在栅极电压作用下进入遂穿氧化层。本发明能够解决p沟道SONOS存储器件的擦除饱和的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 sonos 器件 及其 编译 方法 | ||
【主权项】：
一种n沟道SONOS器件，其特征在于，包括：p型半导体衬底，其包括n型掺杂的源区和漏区，以及位于所述源区和漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于所述p型半导体衬底上所述n型掺杂的源区和漏区之间的栅极结构，该栅极结构从所述p型半导体衬底向上依次包括遂穿氧化层、氮化硅层、阻挡氧化层和多晶硅栅极，其中，当所述n沟道SONOS器件编译时，通过在所述多晶硅栅极上施加正的栅极电压、在所述源区施加0V的源极电压、在所述漏区施加大于所述源极电压的漏极电压以及在所述衬底上施加正的衬底电压，在所述栅极电压和源极电压的电压差作用下使得所述晕圈注入区靠近所述源区和遂穿氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在所述衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在所述栅极电压作用下进入所述遂穿氧化层。
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