[发明专利]芯片电子组件及其制造方法

摘要

一种芯片电子组件，能够改善形成在绝缘衬底的上、下表面上的内部线圈之间的连通性，并且防止通过减小最外层的贯通电极的大小及减小贯通衬垫的大小而由于贯通衬垫的面积引起的电感衰减。

主权项

1.一种芯片电子组件，包括磁体，该磁体包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底的两个表面上并且通过穿透所述绝缘衬底的贯通电极彼此电连接的内部线圈部件、以及形成于所述磁体的端表面上并且连接至所述内部线圈部件的外部电极：其中，所述绝缘衬底包括：第一绝缘衬底；以及第二绝缘衬底，分别堆叠在所述第一绝缘衬底的上、下表面上；其中，所述贯通电极包括：第一贯通电极，穿透所述第一绝缘衬底；第一贯通衬垫，布置在所述第一绝缘衬底的上、下表面上以覆盖所述第一贯通电极；第二贯通电极，布置在所述第一贯通衬垫上，并且穿透所述第二绝缘衬底；以及第二贯通衬垫，布置在所述第二绝缘衬底的表面上以覆盖所述第二贯通电极；其中，所述第二贯通衬垫具有比所述第一贯通衬垫更小的面积，其中，所述第二贯通电极被形成在偏离所述第一贯通电极的位置，以便与所述第一贯通电极以预定的距离间隔开，其中，所述第一贯通电极的中心点和所述第二贯通电极的中心点之间在所述磁体的长度方向上的距离在50μm至80μm范围内，其中，所述第一贯通电极的直径在40μm至80μm范围内，并且其中，所述第二贯通电极的直径在10μm至40μm范围内。