[发明专利]一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201410433335.2 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104332390B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 吕志军;石岳;邸云萍;惠官宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供了一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置,属于电极材料领域,以解决光刻法制作图案化石墨烯时方阻变化较大的问题。所述图案化石墨烯制作方法,包括将图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡,以降低所述图案化石墨烯的方阻。本发明可用于光刻法制作图案化石墨烯的方法中。 | ||
搜索关键词: | 一种 图案 化石 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种图案化石墨烯制作方法,其特征在于,包括:将石墨烯转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,然后用高温胶带将其贴服在玻璃基底上;对贴服有石墨烯的玻璃基底进行光刻工艺,以在所述玻璃基底上形成有光刻胶图案;对所述形成有光刻胶图案的玻璃基底进行干法刻蚀,以除去未被光刻胶图案覆盖的石墨烯;待干法刻蚀完毕后,剥离除去玻璃基底上的光刻胶,以得到图案化石墨烯;将所述图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡,以降低浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻、并获得精细化的图案化石墨烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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