[发明专利]双读取器结构有效
| 申请号： | 201410436160.0 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104424961B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫;H·埃德尔曼;M·S·U·帕特瓦瑞 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了双读取器结构。本文所描述和主张的实施方案提供了具有下传感器叠层和上传感器叠层的层叠式双读取器，其中所述下传感器叠层和上传感器叠层沿着下磁道方向成镜像。 | ||
| 搜索关键词： | 读取器 传感器叠层 下传感器 叠层 层叠式 磁道 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁记录的装置，包括：层叠的双读取器，其具有通过中屏蔽件隔开的下传感器叠层和上传感器叠层，其中所述下传感器叠层和所述上传感器叠层沿下磁道方向成镜像，所述下传感器叠层布置在下屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述上传感器叠层布置在上屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述下屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向和所述上屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向相反。
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