[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括提供衬底；形成浮栅、选择栅以及控制栅；形成高压栅极；对控制栅的源漏两侧进行第一掺杂以形成第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与存储器件源漏区掺杂类型相反；在衬底上形成掩模，对存储器件区的漏端进行轻掺杂漏注入，同时对高压器件区的衬底进行掺杂以调节高压器件区的阈值电压和电流；对存储器件区中控制栅的源漏两侧的第一掺杂区进行第二掺杂；形成逻辑栅极；分别在高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区。本发明的有益效果在于，将存储器件区的漏端的轻掺杂漏注入以及对高压器件区的衬底进行的掺杂合并在一个步骤进行，不仅节约了一层掩模，还简化了工艺。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区；在所述存储器件区形成浮栅；在所述浮栅上形成控制栅、在所述存储器件区形成与所述浮栅分立的选择栅，并在所述高压器件区中形成高压栅极；形成所述选择栅、控制栅以及高压栅极之后，对所述控制栅的源漏两侧进行第一掺杂以形成第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与存储器件源漏区掺杂类型相反；在所述衬底上形成掩模，以所述掩模为掺杂掩模，对所述存储器件区的漏端进行轻掺杂漏注入，同时对所述高压器件区的衬底进行掺杂以调节高压器件区的阈值电压和电流；对所述存储器件区中控制栅的源漏两侧进行第二掺杂；在所述第二掺杂之后，在所述逻辑器件区中形成逻辑栅极，在形成逻辑栅极之后，对所述逻辑栅极进行热处理；在形成所述逻辑栅极之后，分别在所述高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区。