[发明专利]适合高压浮地的开漏电路有效
| 申请号： | 201410437439.0 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104202024B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 宁志华;王晨阳 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适合高压浮地的开漏电路，包括第一开漏MOS管，其栅极接收输入的栅极控制信号，其漏极作为所述开漏电路的输出端，其源极连接至浮地，所述浮地的电位独立于地电位；第一齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的栅极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极；第二齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的漏极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极。本发明的开漏电路能够安全工作在高压电源下，而且在浮地端浮空时能限制回流电流的大小，保证电路安全。 | ||
| 搜索关键词： | 适合 高压 漏电 | ||
【主权项】：
一种适合高压浮地的开漏电路，其特征在于，包括：第一开漏MOS管，其栅极接收输入的栅极控制信号，其漏极作为所述开漏电路的输出端，其源极连接至浮地，所述浮地的电位独立于地电位；第一齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的栅极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极；第二齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的漏极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极。
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