[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410438412.3 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374739B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;丁敬秀;赵洪波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有通孔；形成覆盖于所述基底表面、通孔底部和侧壁表面的金属层；在所述金属层表面形成苯并环丁烯层；在所述苯并环丁烯层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层，所述光刻胶层位于通孔上方；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀苯并环丁烯层以及金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。本发明通过在金属层表面形成苯并环丁烯层，以保护位于通孔内的金属层不被刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性以及电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成有通孔；形成覆盖于所述基底表面、通孔底部和侧壁表面的金属层；在所述金属层表面形成苯并环丁烯层；在所述苯并环丁烯层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层，所述光刻胶层位于通孔上方；图形化所述苯并环丁烯层，暴露出金属层表面；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述暴露的金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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