[发明专利]半导体结构及返工方法有效
| 申请号： | 201410438895.7 | 申请日： | 2014-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448671B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑喆;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及返工方法，其中所述返工方法，包括：提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层；在所述保护层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中存在缺陷；去除存在缺陷的第一光刻胶层，暴露出保护层的表面。保护层的存在，在去除存在缺陷的第一光刻胶层的过程中，可以防止外部的氧元素与含硅的有机底部抗反射涂层中硅元素形成氧化硅的结晶物或者产生其他的缺陷，因而，本发明在将存在缺陷的第一光刻胶层去除之后，含硅的有机底部抗反射涂层保存完好，无需额外的物理或化学步骤去除第一光刻胶层底部的含硅的有机底部抗反射涂层，从而节省了返工过程的工艺步骤，节约了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 有机底部抗反射涂层 保护层 返工 去除 半导体结构 基底 工艺步骤 化学步骤 硅元素 结晶物 氧化硅 氧元素 保存 暴露 节约 外部 制作 | ||
【主权项】：
1.一种返工方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层，且所述保护层材料为无机透明的材料，所述保护层的厚度为30～200埃；在所述保护层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中存在缺陷；去除所述存在缺陷的第一光刻胶层，暴露出保护层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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