[发明专利]一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法在审
申请号: | 201410440502.6 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104332396A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法,通过将已在现实中应用的可变式注入硅片法,来进行新型中电流离子注入机和旧型中电流离子注入机之间的剂量匹配,可节省上百枚硅片,实现生产成本的降低,同时也节省了生产时间,进而提高了生产效率和经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 异型 电流 离子 注入 导入 量产 方法 | ||
【主权项】:
一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法,其特征在于,包括如下步骤;提供第一硅片,在硅片中定义有中心注入区和位于该中心注入区两侧并关于该中心区对称的至少两个注入区;采用第一离子注入设备对各注入区进行离子注入,并保证位于中心注入区一侧的注入区至位于中心注入区另一侧的注入区的注入剂量逐渐递增,并在注入完成后获取硅片各注入区的电阻值;提供第二硅片,采用第二离子注入设备对该第二硅片进行离子注入,且注入的剂量与所述第一硅片的中心区的注入剂量相同,获取该硅片的电阻值;根据第一硅片各注入区的注入剂量和电阻值以及第二硅片的注入剂量和电阻值,求得将第一离子注入设备代替第二离子注入设备进行离子注入时,所选用的最佳注入剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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