[发明专利]记忆元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括多个栅极柱结构与多个介电柱，在一第一方向间隔相互交替，在一第二方向相互交替且接触，且自一第三方向嵌入于堆叠层中，借以将堆叠层分隔成多个堆叠结构。每一介电柱在第二方向的侧壁与其相邻的栅极柱结构在第二方向的侧壁非共平面。本发明借由在堆叠层中嵌入相互交替的多个栅极柱结构与多个介电柱，将堆叠层分隔成多个堆叠结构，可避免位线通道的弯曲与字线桥接的问题，并且介电柱可电性隔离栅极柱结构与堆叠结构，因此可降低相邻记忆胞之间的干扰，进而提升记忆胞或记忆胞阵列的效能。

主权项

1.一种记忆元件，其特征在于其包括：多个导体柱，电荷储存层位于所述导体柱周围，所述多个导体柱与多个介电柱，在一第一方向间隔相互交替，在一第二方向相互交替且接触，且自一第三方向嵌入于一堆叠层中，借以将该堆叠层分隔成多个堆叠结构，其中该第一方向与该第二方向不同，且与该第三方向不同，且，每一介电柱在该第二方向的侧壁与其相邻的该导体柱与电荷储存层结构在该第二方向的侧壁非共平面。