[发明专利]一种芯片密封环结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410441164.8 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN105448857B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 张贺丰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种芯片密封环结构及其制作方法,所述制作方法包括步骤1)于芯片周侧形成第一环形介质层,刻蚀出第一环形通孔及侧面相连的多个条形通孔;2)于所述第一环形通孔及多个条形通孔中填充金属材料;3)于所述第一环形介质层及金属材料表面形成第二环形介质层,刻蚀出第二环形通孔;4)于所述第二环形通孔中填充金属材料;5)重复进行步骤1)~步骤4),最终形成具有金属肋排结构的芯片密封环。本发明通过在芯片密封环结构中制作金属肋排结构,以大大加强芯片密封环的抗破裂强度,从而避免芯片在切割等过程中的由于应力破坏而导致的芯片内部的破坏,提高芯片的良率。本发明方法结构简单,适用于工业生产。
搜索关键词: 一种 芯片 密封 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种芯片密封环结构的制作方法,其特征在于,包括步骤:1)于芯片周侧形成第一环形介质层,于所述第一环形介质层中刻蚀出第一环形通孔及与该第一环形通孔侧面相连的多个条形通孔;2)于所述第一环形通孔及多个条形通孔中填充金属材料,并去除所述第一环形介质层表面的金属材料;3)于所述第一环形介质层及金属材料表面形成第二环形介质层,于所述第二环形介质层中刻蚀出第二环形通孔,所述第二环形通孔的宽度大于所述第一环形通孔的宽度;4)于所述第二环形通孔中填充金属材料,并去除所述第二环形介质层除表面的金属材料;5)重复进行步骤1)~步骤4),最终形成具有金属肋排结构的芯片密封环。
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