[发明专利]具有保护层的自对准互连件有效
| 申请号： | 201410441782.2 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105280591B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 严佑展;傅劲逢;李佳颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 集成电路结构包括：第一层层间电介质(ILD)、位于第一ILD中的栅极堆叠件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接触插塞、以及位于接触插塞的相对两侧上并且与接触插塞相接触的介电保护层。接触插塞和介电保护层位于第二ILD中。介电覆盖层位于接触插塞上方并且与接触插塞相接触。本发明还涉及具有保护层的自对准互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护层 对准 互连 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一层间电介质；栅极堆叠件，位于所述第一层间电介质中；第二层间电介质，位于所述第一层间电介质上方；第一接触插塞，位于所述第二层间电介质中；介电保护层，位于所述第一接触插塞的相对两侧上并且与所述第一接触插塞接触，其中，所述第一接触插塞和所述介电保护层位于所述第二层间电介质中；以及介电覆盖层，位于所述第一接触插塞上方并且与所述第一接触插塞接触，其中，所述介电覆盖层的顶面、所述介电保护层的顶部边缘以及所述第二层间电介质的顶面共平面。
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