[发明专利]具有高开口率的像素结构及电路

摘要

本发明提供一种具有高开口率的像素结构及电路。该具有高开口率的像素结构的第一栅极(21)、第一源/漏极(61)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第一半导体层(41)与栅极绝缘层(3)构成第一薄膜晶体管(TFT1)；第二栅极(22)、第二源/漏极(62)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第二半导体层(42)与栅极绝缘层(3)构成第二薄膜晶体管(TFT2)；透明电极(8)、像素电极(10)与夹在二者之间的平坦绝缘层(9)构成一透明电容(C)，且所述透明电容(C)构成该像素结构的有效显示部分，能够显著增加像素的有效显示面积，提高开口率，提高显示亮度，降低功耗。

主权项

一种具有高开口率的像素结构，其特征在于，具有一基板(1)；于该基板(1)一侧设于其上的第一栅极(21)与第二栅极(22)；设于第一、第二栅极(21、22)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)，该栅极绝缘层(3)完全覆盖第一栅极(21)与基板(1)，而暴露出第二栅极(22)的两端；于第一栅极(21)正上方设于栅极绝缘层(3)上的第一半导体层(41)；于第二栅极(22)正上方设于栅极绝缘层(3)上的第二半导体层(42)；设于第一、第二半导体层(41、42)与栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)；设于第一半导体层(41)与蚀刻阻挡层(5)上的第一源/漏极(61)，设于第二半导体层(42)与蚀刻阻挡层(5)上的第二源/漏极(62)，第一源/漏极(61)搭接第一半导体层(41)及第二栅极(22)的一端，第二源/漏极(62)搭接第二半导体层(42)；设于第一、第二源/漏极(61、62)及蚀刻阻挡层(5)上的保护层(7)；于基板(1)另一侧设于保护层(7)上的透明电极(8)，该透明电极(8)搭接第二栅极(22)的另一端；设于保护层(7)与透明电极(8)上的平坦绝缘层(9)；设于平坦绝缘层(9)上的像素电极(10)，该像素电极(10)搭接第二源/漏极(62)并与透明电极(8)重叠；设于平坦绝缘层(9)与像素电极(10)上的像素定义层(11)，该像素定义层(11)对应于像素电极(10)与透明电极(8)的重叠区域开口；所述第一栅极(21)、第一源/漏极(61)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第一半导体层(41)与栅极绝缘层(3)构成第一薄膜晶体管(TFT1)；所述第二栅极(22)、第二源/漏极(62)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第二半导体层(42)与栅极绝缘层(3)构成第二薄膜晶体管(TFT2)；所述透明电极(8)、像素电极(10)与夹在二者之间的平坦绝缘层(9)构成一透明电容(C)。