[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法有效
申请号: | 201410444447.8 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104241173B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 李嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法,其中,该制备机构包括对玻璃基板进行清洗的基板清洗槽、臭氧气体生成装置,基板清洗槽通过气体传输管直接与臭氧气体生成装置连接,不仅可以将清洗后的玻璃基板表面的残留药液吹掉,还可以让清洗后的玻璃基板直接接触臭氧气体,使得玻璃基板表面的硅膜更加平滑无杂质,经过氢氟酸后第一时间接触臭氧气体使表面形成的氧化膜更加均匀,从而使激光退火处理得到的低温多晶硅薄膜的结晶效果更加优异;并且,该制备机构设计简单,大大的节省了制备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 多晶 薄膜 制备 机构 方法 | ||
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜的制备机构,其特征在于,所述制备机构包括:一基板清洗槽,用于对玻璃基板进行清洗;一臭氧气体生成装置,用于生成臭氧气体;一气体传输管,包括输入端和输出端,所述输入端与所述臭氧气体生成装置相连,所述输出端与所述基板清洗槽相连,并连接至所述基板清洗槽内的玻璃基板的上方;其中,当玻璃基板在所述基板清洗槽进行清洗后,所述气体传输管用于将所述臭氧气体生成装置生成的臭氧气体向所述基板清洗槽内传输,以在清洗后的玻璃基板表面吹出臭氧气体;一激光退火处理装置,用于对玻璃基板进行激光退火处理,以在玻璃基板的表面形成低温多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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