[发明专利]抗腐蚀保护膜的形成方法在审
| 申请号： | 201410451805.8 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105458436A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 吴正宏;张建华;朱水景;陈文吉 | 申请（专利权）人： | 英业达科技有限公司;英业达股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/008 | 分类号： | B23K1/008;B23K1/00;H05K13/00 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 袁辉 |
| 地址： | 201114 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种抗腐蚀保护膜的形成方法，用于在一电路基板的一电性测点上形成一抗腐蚀保护膜，藉以利用抗腐蚀保护膜保护电性测点不受腐蚀，而抗腐蚀保护膜的形成方法其步骤首先是制备一开设有至少一穿孔的屏蔽，且穿孔对应于电性测点；然后，利用一印刷制程将一金属膏经由屏蔽的穿孔涂布至电性测点上；最后，利用一回焊制程将印刷于电性测点上的金属膏回火并冷却形成覆盖于电性测点上的抗腐蚀保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 保护膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种抗腐蚀保护膜的形成方法，用于在一电路基板的一电性测点上形成一抗腐蚀保护膜，该抗腐蚀保护膜的形成方法包括以下步骤：(a)制备一屏蔽，该屏蔽开设有至少一穿孔，该穿孔对应于该电性测点；(b)利用一印刷制程将一金属膏经由该屏蔽的该穿孔涂布至该电性测点上；以及(c)利用一回焊制程将印刷于该电性测点上的该金属膏回火形成覆盖于该电性测点上的该抗腐蚀保护膜。
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