[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410453194.0 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105460883B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郑超;许继辉;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；步骤S2图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；步骤S4去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。本发明的优点在于(1)彻底改变发生碎裂(Crack)的隔离层叠层(film stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。(2)提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；步骤S2：图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3：沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；步骤S4：去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力，以避免所述第二隔离层发生碎裂或者脱落。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410453194.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种增强镁基氢化物解氢性能的方法
- 下一篇：一种灌装瓶升降机构
