[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410454274.8 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104576599B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;洪建州 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 张金芝,杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；凸块下金属层；以及有机可焊性保护膜，与所述凸块下金属层一起将所述被动元件包围起来；其中，所述凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。
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