[发明专利]一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法有效
申请号: | 201410459336.4 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN104250723B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 郑直;程佳美;雷岩;贾会敏;何伟伟;贺盈盈 | 申请(专利权)人: | 许昌学院;郑直 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C22/02;C23C8/08 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 乔宇 |
地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法,它是在基底表面溅射铅单质薄膜,然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中,恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料;或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜,再浸入碘化甲胺的有机溶液中,恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。该方法操作简单,低能耗,成本低,具有广阔的工业应用前景;所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 单质 薄膜 原位 大面积 控制 合成 钙钛矿型 ch3nh3pbi3 材料 化学 方法 | ||
【主权项】:
一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法,其特征在于:在基底表面溅射铅单质薄膜,然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中,恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料;或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜,再浸入碘化甲胺的有机溶液中,恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。
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