[发明专利]一种FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410459357.6 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105470253B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;刘云飞;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；漏区，位于所述第二鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；侧墙，位于所述第一、第二鳍片两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层；衬底沟道区，所述衬底沟道区位于所述衬底中靠近上表面的区域中。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种U型FinFET器件结构，包括：衬底(100)；第一鳍片(210)和第二鳍片(220)，所述第一鳍片(210)和第二鳍片(220)位于所述衬底(100)上方，彼此平行；栅极叠层(300)，所述栅极叠层覆盖所述衬底和部分第一鳍片(210)和第二鳍片(220)的侧壁；源区(410)，所述源区位于所述第一鳍片(210)未被栅极叠层所覆盖的区域；漏区(420)，所述漏区位于所述第二鳍片(220)未被栅极叠层所覆盖的区域；侧墙(230)，所述侧墙(230)位于所述第一鳍片(210)和第二鳍片(220)两侧，栅极叠层(300)上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层；衬底沟道区(150)，所述衬底沟道区(150)位于所述衬底(100)中靠近上表面的区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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