[发明专利]一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路

摘要

本发明涉及一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域。本发明公开的防闩锁型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路其泄放晶体管的触发由瞬态触发模块实现，其泄放晶体管开启状态的维持由直流电压探测模块实现，本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路如果被高频噪声误触发，会在很短的时间后自动脱离误触发状态，有效防止闩锁现象的发生。

主权项

一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，包括：瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管；其特征在于，所述瞬态触发模块包括：PMOS晶体管M_p2，NMOS晶体管M_n2，NMOS晶体管M_fb1,电阻R1以及电容C；所述PMOS晶体管M_p2的栅极与所述NMOS晶体管M_n2的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n2的源极接地，所述NMOS晶体管M_n2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p2的源极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb1的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb1的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电阻R₁的一端与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₁的另一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的另一端接地；所述直流电压探测模块包括：PMOS晶体管M_p1，NMOS晶体管M_fb，电阻R，电阻R_g以及二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃与二极管D₄；所述PMOS晶体管M_p1的栅极与所述NMOS晶体管M_fb的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p1的源极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极与所述电阻R_g的一端相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述电阻R_g的另一端接地，所述电阻R的一端与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R的另一端与依次正向串联的所述二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃与二极管D₄连接，所述二极管D4的阴极接地，所述电阻R的另一端还与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连；所述泄放晶体管为NMOS晶体管M_big，其栅极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，其源级接地，其漏极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源线V_DD相连。