[发明专利]碳硅石圆钻加工方法有效

专利信息
申请号: 201410463253.2 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN105455331B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 曾建辉;钱正新 申请(专利权)人: 上海黛恩妠珠宝有限公司
主分类号: A44C27/00 分类号: A44C27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200120 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种碳硅石圆钻加工方法,包括将合成碳硅石原胚晶体围成圆形胚体、磨成水平大台面、切割风筝面、切割星刻面、切割上腰小面、冠部抛光、下腰小面切割、剑刻面切割、亭部抛光、硫酸浸泡、酒精清洗等步骤。本发明克服了合成碳硅石与钻石之间存在的色散和折光率的差异,使制得的碳硅石圆钻也能实现8心8箭的光学效果。
搜索关键词: 硅石 加工 方法
【主权项】:
一种碳硅石圆钻加工方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤一:将合成碳硅石原胚晶体在围型机上通过精钢砂轮(7)添水围成圆形的碳硅石胚体;步骤二:将步骤一所得圆形碳硅石胚体以AB胶水粘在铁棒(8)上,以机械手握持该铁棒,调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至90°,在精钢砂轮 (7) 上将该碳硅石胚体的大台面(1)磨成水平;步骤三:调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至55.3‑55.5°,将机械手的刻度旋转到45°位置,在精钢砂轮(7)上切割出第一个风筝面(2),以45°逐次调整刻面的切割角度,依序切割出第二至第八个风筝面(2);步骤四:调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至70.5‑70.8°,旋转机械手的初始刻度至22.5°,切割出第一个星刻面(3),逐次以45°旋转机械手的切割角度,依序切割出第二至第八个星刻面(3);步骤五:调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至44.8‑45.2°,旋转机械手初始刻度至11.25°,切割出第一个上腰小面(4),逐次以22.5°旋转机械手的切割角度,依序切割出第二至第十六个上腰小面(4);步骤六:以砂纸将0.01‑0.03克拉的W5钻石微粉均匀涂在铸铁抛光盘(9)的表面,调整机械手位置将碳硅石胚体在该铸铁抛光盘(9)上依次粗抛光其冠部的各个刻面;步骤七:以砂纸将0.01‑0.03克拉的W1.5钻石微粉均匀涂在锌锡混合抛光盘(10)的表面,调整机械手位置将碳硅石胚体在该锌锡混合抛光盘(10)上依次精抛光其冠部的各个刻面;步骤八:调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至47.7‑48°,旋转机械手初始刻度至11.25°,切割出第一个下腰小面(5),逐次以22.5°旋转机械手的切割角度,依序切割出第二至第十六个下腰小面(5);步骤九:调整机械手位置,使碳硅石胚体与精钢砂轮(7)的相对角度调至49.2‑49.5°,然后将机械手的刻度旋转到45°位置,在精钢砂轮上切割出第一个剑刻面(6),逐次以45°旋转机械手的切割角度,依序切割出第二至第八个剑刻面(6);步骤十:以砂纸将0.01‑0.03克拉的W5钻石微粉均匀涂在铸铁抛光盘(9)的表面,调整机械手位置将碳硅石胚体在该铸铁抛光盘(9)上依次粗抛光其亭部的各个刻面;步骤十一:以砂纸将0.01‑0.03克拉的W1.5钻石微粉均匀涂在锌锡混合抛光盘(10)的表面,调整机械手位置将碳硅石胚体在该锌锡混合抛光盘(10)上依次精抛光其亭部的各个刻面,得碳硅石圆钻成品;步骤十二:将碳硅石圆钻成品放入盛装硫酸的塑胶容器内浸泡30分钟,取出碳硅石圆钻成品冷却20分钟,用清水冲洗;步骤十三:将清洗好的碳硅石圆钻成品以电吹风吹干,在其上喷撒酒精并以毛巾将碳硅石圆钻成品表面擦拭干净,得碳硅石圆钻;该碳硅石圆钻包括冠部,腰部,亭部;所述腰部介于所述冠部与亭部之间,所述冠部包括1个大台面(1),8个均等的风筝面(2),8个均等的星刻面(3),16个均等的上腰小面(4);所述亭部包括16个均等的下腰小面(5)和8个均等的剑刻面(6),台宽比为56‑57%,冠部高度为14.6‑14.8%,腰部为3‑5%,亭部高度为44.9‑45.1%,风筝面(2)角度为55.3‑55.5°,星刻面(3)角度为70.5‑70.8°;上腰小面(4)角度为44.8‑45.2°;下腰小面(5)角度为47.7‑48°;剑刻面(6)角度为49.2‑49.5°。
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