[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410464881.2 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105470286B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;王桂磊;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸，多个鳍片结构之间具有浅沟槽隔离结构；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；应力源漏区，包括位于多个鳍片结构中、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的第一部分，以及在第一部分沿第二方向侧面上的第二部分。依照本发明的半导体器件及其制造方法，选择性刻蚀STI区域增大了源漏沟槽，有效增大了高应力源漏区的体积，提高了器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸，多个鳍片结构之间具有浅沟槽隔离结构；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；外延生长的应力源漏区，包括位于多个鳍片结构中、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的第一部分，以及在第一部分沿第二方向侧面上的第二部分，其中浅沟槽隔离结构在应力源漏区侧面的部分的高度低于在沟道区侧面的部分的高度以从第二方向传递更多的应力。
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