[发明专利]硅氧化膜的制造方法

摘要

本发明提供一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法使用成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1气体供给部，其在第1处理区域中朝向旋转台的上表面供给第1气体；以及第2气体供给部，其在第2处理区域中朝向旋转台的上表面供给第2气体。在该制造方法中，自第1气体供给部连续地供给作为第1气体的含硅气体，自第2气体供给部连续地供给作为第2气体的氢气和氧化气体。然后，一边使旋转台旋转，一边在第1处理区域中使第1气体吸附于载置在旋转台上的基板，在第2处理区域中使吸附于基板的表面的第1气体和供给到第2处理区域的第2气体反应。

主权项

一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法在成膜装置中进行，该成膜装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式容纳于真空容器内，并在上表面具有供基板载置的基板载置部；第1气体供给部，其配置于在上述旋转台的上述上表面的上方划分出的第1处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第1气体；以及第2气体供给部，其配置于沿上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开的第2处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第2气体，在该硅氧化膜的制造方法中，自上述第1气体供给部连续地供给作为上述第1气体的含硅气体，自上述第2气体供给部连续地供给作为上述第2气体的氢气和氧化气体，一边使上述旋转台旋转，一边在上述第1处理区域中使上述第1气体吸附于载置在上述旋转台上的基板，一边使上述旋转台旋转，一边在上述第2处理区域中使吸附于上述基板的表面的上述第1气体和供给到上述第2处理区域的上述第2气体反应。