[发明专利]存储器阵列

摘要

本发明公开了一种存储器阵列，该存储器阵列包括多个基本单元阵、字线组及位线组，每个基本单元阵包括2×2个存储单元对，字线组包括字线WL、第一控制栅线CG0、第二控制栅线CG1，位线组包括位线BL<3k>、BL<3k+1>和BL<3k+2>，该多个基本单元阵在列行方向依次由该位线组和字线组级联，各列的基本单元阵和其他列没有关联，本发明列方向每一组存储单元和其他组存储单元没有关联，读出时只要处理本组存储单元的电流即可，译码简单，适合Native卡的开发。

主权项

1.一种存储器阵列，其特征在于：该存储器阵列包括多个基本单元阵、字线组及位线组，每个基本单元阵包括2×2个存储单元对，字线组包括字线WL<m>、第一控制栅线CG0<m>、第二控制栅线CG1<m>，位线组包括位线BL<3k>、BL<3k+1>和BL<3k+2>，该多个基本单元阵在列行方向依次由该位线组和字线组级联，其形成的各列纵向单元阵和其他列单元阵没有关联；对每一个基本单元阵的各存储单元对，该第一控制栅线CG0<m>连接其第一控制栅极，该第二控制栅线CG1<m>连接其第二控制栅极，该字线WL<m>连接字线控制栅极，第一控制栅极和第二控制栅极的读电压以及编程电压不同。