[发明专利]制造沟槽型功率器件的方法

摘要

一种制造沟槽型功率器件的方法，包括：通过第一次光刻及刻蚀在衬底的终端区域形成掩模层图案，执行离子注入形成保护环；沉积掩模材料层，部分地填充掩模层的图案，通过第二次光刻及刻蚀在衬底的器件区域形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧墙；利用形成有侧墙的掩模层结构在衬底中刻蚀出沟槽，并在沟槽中填充多晶硅材料；去除凹槽的侧壁上的侧墙，并执行离子注入，以便在多晶硅结构两侧形成注入区；通过第三次光刻形成注入掩模图案，此后利用注入掩模图案对衬底进行注入以形成阱区；利用掩模材料填充凹槽，并进行平坦化处理，并且通过第四次光刻及刻蚀在掩模层和掩模材料层中形成接触区凹槽。

主权项

一种制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上形成掩模层，并且通过第一次光刻及刻蚀在衬底的终端区域形成掩模层图案，而且利用形成图案的掩模层执行离子注入从而形成保护环；第二步骤：在掩模层上沉积掩模材料层，从而至少部分地填充掩模层的图案，然后通过第二次光刻及刻蚀在衬底的器件区域形成凹槽，以暴露出凹槽所对应的衬底表面；第三步骤：沉积侧墙材料，从而在凹槽的侧壁形成侧墙；第四步骤：利用形成有侧墙的掩模层结构在衬底中刻蚀出沟槽，并且在沟槽中填充多晶硅材料；第五步骤：去除凹槽的侧壁上的侧墙，随后利用去除了侧墙的掩模层结构执行离子注入，以便在多晶硅结构两侧形成注入区；第六步骤：通过第三次光刻形成注入掩模图案，此后利用注入掩模图案对衬底进行注入以形成阱区；第七步骤：利用掩模材料填充凹槽，并进行平坦化处理，并且通过第四次光刻及刻蚀在掩模层和掩模材料层中形成接触区凹槽。