[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置有效
| 申请号： | 201410466295.1 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104517793B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 丰田一行;广地志有;山本哲夫;盛满和广;高崎唯史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向所述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给所述反应气体之前的所述等离子体生成区域内的压力为第一压力，开始向所述等离子体生成区域供给高频电力后，向所述等离子体生成区域供给所述反应气体，将所述等离子体生成区域内从所述第一压力调压至比所述第一压力低的第二压力来生成所述反应气体的等离子体的工序。
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