[发明专利]氧化硅膜的制造方法有效
申请号: | 201410466613.4 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN104451599B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 田村辰也;熊谷武司;千叶贵司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中,将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内,在设置了所述基板之后,利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后,利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体,并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。 1 | ||
搜索关键词: | 供给氢气 含硅气体 氧化硅膜 氢气供给部件 氧化气体供给 供给部件 基板设置 氧化气体 金属膜 基板 制造 | ||
【主权项】:
1.一种氧化硅膜的制造方法,其中,将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内,在设置所述基板的步骤之后,利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气,利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体,利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体,在开始供给所述氢气的步骤之后,实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤,在将所述氢气和所述氧化气体作为整体的每个单位时间的供给量设为1的情况下,以所述氢气的供给量的比率为0.1~0.6的方式供给所述氢气。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的