[发明专利]一种半导体器件失效分析的方法

摘要

本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。

主权项

1.一种半导体器件失效分析的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一具有缺陷的失效样品；确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置；对所述失效样品进行正面减薄工艺，以将位于所述物理位置及临近该物理位置的连接通孔均予以暴露；对暴露的所述连接通孔进行电压对比分析，以获取暴露的连接通孔的表征图像；通过判断连续排列的若干所述连接通孔的图像的明暗程度来确认其是否存在异常；若连续排列的若干所述连接通孔的图像中，位于所述物理位置处的连接通孔的图像明暗程度与位于临近所述物理位置处的连接通孔的图像明暗程度存在差异，则确认位于所述物理位置处的连接通孔的图像存在异常；根据所述表征图像判断是否是由于冗余电路替换造成的所述缺陷；若是由于冗余电路替换造成的所述缺陷，则对所述失效样品的冗余算法进行改进。